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NTHD3133PF
TYPICAL P-CHANNEL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1500
1200
C ISS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4 -V DS
Q T
-V GS
10
8
900
V DS = 0 V
3
6
600
C RSS
2
Q GS
Q GD
4
300
1
2
0
C OSS
0
I D = -3.2 A
T J = 25 ° C
0
5
-V GS
0
-V DS
5
10
15
20
0
2
4 6
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
8
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
5
Figure 8. Gate-to-Source and
Drain-to-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DS = -10 V
I D = -3.2 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
t r
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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